SemiUnion消息，2020年7月6日,，三星電子宣布,，三星高級技術(shù)學(xué)院(SAIT)的研究人員與蔚山國家科學(xué)技術(shù)學(xué)院(UNIST)、劍橋大學(xué)兩家高校合作,，發(fā)現(xiàn)了一種名為非晶態(tài)氮化硼(a-BN)的新材料,，此項研究可能加速下一代半導(dǎo)體材料的問世。
三星指出,，最近,，SAIT一直在研究二維（2D）材料-具有單原子層的晶體材料的研究和開發(fā)。具體而言,，該研究所一直致力于石墨烯的研究和開發(fā),，并在該領(lǐng)域取得了突破性的研究成果，例如開發(fā)新的石墨烯晶體管以及生產(chǎn)大面積單晶晶片的新方法,。除了研究和開發(fā)石墨烯外,，SAIT還致力于加速材料的商業(yè)化。
“為了增強(qiáng)石墨烯與硅基半導(dǎo)體工藝的兼容性,，半導(dǎo)體襯底上的晶圓級石墨烯生長應(yīng)在低于400°C的溫度下進(jìn)行,?！?SAIT的石墨烯項目負(fù)責(zé)人兼首席研究員Shin Hyeon-Jin Shin表示?！拔覀冞€在不斷努力,，將石墨烯的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到半導(dǎo)體以外的領(lǐng)域?！?/p>
Source：三星
新聞稿指出,，新發(fā)現(xiàn)的材料稱為非晶氮化硼（a-BN），由具有非晶分子結(jié)構(gòu)的硼和氮原子組成,。盡管非晶態(tài)氮化硼衍生自白色石墨烯,，其中包括以六邊形結(jié)構(gòu)排列的硼和氮原子，但實際上a-BN的分子結(jié)構(gòu)使其與白色石墨烯具有獨特的區(qū)別,。
非晶氮化硼具有超低介電常數(shù),，僅1.78，具有強(qiáng)大的電氣和機(jī)械性能,，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾,。同時也證明了該材料可以在400°C的低溫下以晶圓級生長。因此,，預(yù)計非晶氮化硼將廣泛應(yīng)用于諸如DRAM和NAND解決方案等半導(dǎo)體,，尤其是在用于大型服務(wù)器的下一代存儲器解決方案中。
“最近,，人們對2D材料及其衍生的新材料的興趣不斷增加,。但是，將材料應(yīng)用于現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝仍然存在許多挑戰(zhàn),。” SAIT副總裁兼無機(jī)材料實驗室負(fù)責(zé)人Park Seongjun Park說,?！拔覀儗⒗^續(xù)開發(fā)新材料來引領(lǐng)半導(dǎo)體范式的轉(zhuǎn)變?！?/p>
